常用可以通过搜索diode来查找
对应的不同二极管: 1、稳压(齐纳)二极管 — DIODE ZENER
DIODE ZENER1 后边数字代表电压
2、变容二极管 — DIODE VARACTOR
3、TVS管 — DIODE TVS
TVS二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似,如果高于标志上的击穿电压,TVS二极管就会导通,
与稳压二极管相比,TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,
以10-12S量级速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的
电压箝位于一个安全值,有效地保护电子线路中的精密元器件免受浪涌脉冲的破坏。
4、江崎二极管 — DIODE TUNNEL
5、
肖特基二极管 — DIODE SCHOTTKY
知识储备: 链接–
http://baike.baidu.com/view/1016.htm
二极管
求助编辑
百科名片
目录
编辑本段
特性
二极管
(
英语
:
Diode
),电子元件当中,一种具有两个
电极
的装置,只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而
变容二极管
(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调
电容器
。
整流
(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。
真空管
(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今最普遍的二极管大多是使用
半导体
材料如
硅
或
锗
。
正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为
死区
。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。
反向性
漂移
运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或
漏电流
,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
击穿
电击穿
。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
器件
,有
电子二极管
和
晶体二极管
之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性,几乎在所有的电子
电路
中,都要用到
半导体二极管
,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的
半导体器件
之一,其应用也非常广泛。
发光二极管
正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0–2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的特性曲线
在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
二极管的反向击穿
齐纳击穿
雪崩击穿
雪崩
击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏。
编辑本段
应用
编辑本段
作用
[2]
编辑本段
工作原理
晶体二极管为一个由p型
半导体
和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成
空间电荷
层,并建有自建
电场
。当不存在外加电压时,由于pn ;结两边
载流子
浓度差引起的
扩散电流
和自建电场引起的
漂移电流
相等而处于电
平衡状态
。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了
正向电流
。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向
偏置电压
值无关的
反向饱和电流
I0。当外加的反向电压高到一定
程度
时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子
空穴
对,产生了数值很大的
反向击穿
电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和
雪崩击穿
之分。
编辑本段
类型
半导体材料
,可分为
锗二极管
(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为
检波二极管
、
整流二极管
、
稳压二极管
、
开关二极管
、
隔离二极管
、
肖特基二极管
、
发光二极管
、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为
点接触型二极管
、面接触型二极管及
平面型二极管
。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的
半导体
晶片表面,通以
脉冲电流
,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“
PN结
”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频
小电流
电路,如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“
整流
”电路中。平面型二极管是一种特制的
硅
二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及
高频电路
中。
编辑本段
根据构造分类
点接触型二极管
硅材料
的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的
静电
容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。
面接触型二极管
键型二极管
键型二极管
是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和
合金型二极管
之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和
电源
整流(不大于50mA)。在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称
金键
型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型二极管
扩散型二极管
台面型二极管
平面型二极管
硅片
表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型二极管
外延型二极管
肖特基二极管
原理
是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:
反向恢复时间
trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
编辑本段
根据用途分类
检波二极管
调制信号
是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结
电容
小,检波效率高,
频率特性
好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
整流二极管
桥式整流器
QL型、③用于电视机
高压硅堆
工作频率近100KHz的2CLG型。
限幅二极管
振幅
的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
开关二极管
逻辑运算
和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的
开关时间
特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
自动频率控制
(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本
厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压, ;使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的
扩散型二极管
,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代
可变电容
,用作调谐回路、
振荡电路
、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。
频率倍增用二极管
频率
倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为
阶跃恢复二极管
,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频
谐波
。
本征半导体
(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管。PIN中的I是”本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和”本征”层中的渡越
时间效应
,其二极管失去整流作用而变成
阻抗
元件,并且,其
阻抗值
随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时,”本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入”本征”区,而使”本征”区呈现出低阻抗状态。因此,可以把
PIN二极管
作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关(即
微波
开关)、移相、调制、限幅等电路中。
晶体
管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现
负阻效应
,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
隧道效应
电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是
砷化镓
和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子
有源器件
。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标”P”代表”峰”;而下标”V”代表”谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频
放大器
及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。
电荷
存贮效应,使其
反向电流
需要经历一个”存贮时间”后才能降至最小值(反向饱和电流值)。阶跃恢复二极管的”自助电场”缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的
谐波分量
。利用这些谐波分量可设计出梳状
频谱
发生电路。快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
它是具有肖特基特性的”金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为
N型半导体
。这种器件是由
多数载流子
导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC
时间常数
限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
阻尼二极管
瞬变电压抑制二极管
直流变换器
、高速电机调速及在
驱动电路
中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、
过载能力
强的优点、广泛用于
计算机
、雷达电源、步进
电机
调速等方面。
编辑本段
根据特性分类
输入电阻
的电路和
高阻
负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管。
编辑本段
导电特性
正向特性
高电位
端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
反向特性
漏电流
。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
编辑本段
主要参数
5
最高工作频率Fm
编辑本段
参数符号及其意义
势垒电容
直流电流
(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅
整流管
、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在
额定功率
下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
平均功率
波长
击穿电压
反向工作峰值电压
编辑本段
识别
引脚
长短来识别,长脚为正,短脚为负。用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的
阻值
才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
导体
是一种具有特殊性质的物质,它不像导体一样能够完全导电,又不像绝缘体那样不能导电,它介于两者之间,所以称为半导体。半导体最重要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。我们常听说的
美国
硅谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。
编辑本段
LED发光二极管分类
蓝光
等。另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的
芯片
。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
编辑本段
二极管型号命名方法
编辑本段
二极管和半导体的关系
阳极
,负端K ;称为
阴极
。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识:“半导体的一‘半’是一半的‘半’;而二极管也是只有一‘半’电流流动(这是错误的),所有二极管就是半导体 ;”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
编辑本段
测试二极管的好坏
(二)稳压的检测
(三)双向触发的检测
(四)发光的检测
(五)红外发光的检测
(六)红外光敏的检测
(七)其他光敏的检测
(八)激光的检测
(九)变容的检测
(十)双基极的检测
(十一)桥堆的检测
(十二)高压硅堆检测
(十三)变阻的检测
(十四)肖特基的检测
万用表
的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极,红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间,这时的阻值就是二极管的正向
电阻
,一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值,说明管芯短路损坏,若正向电阻接近无穷大值,说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
反向特性测试
编辑本段
部分常用二极管参数
二级管相关专业术语:
1. |
Freewheel diode
续流
二极管 |
2. |
Esaki diode
隧道
二极管 ;江崎二极管 |
3. |
PIN diode PIN
型
二极管 |
4. |
Schottky diode
肖特基
二极管 |
5. |
Schottky barrier double rectifier diode
萧特基势垒双整流
二极管 |
6. |
Zener diode
齐纳
二极管 |
7. |
backward diode
逆向
二极管 |
8. |
avalanche photo diode (APD)
雪崩光电
二极管 |
9. |
blocking diode
阻塞
二极管 |
10. |
capacitor, diode
二极管 电容器 |
11. |
clamp diode
钳位
二极管 |
12. |
common-cathode double diode
共阴极双
二极管 |
13. |
crystal diode
晶体
二极管 |
14. |
diode-transistor logic (DTL)
二极管 晶体管逻辑 |
15. |
diode, varicap
变容
二极管 |
16. |
diode, tunnel
隧道
二极管 |
17. |
diode, transient suppression
瞬变抑制
二极管 |
18. |
diode, resistor-capacitor (RCD)
电阻器电容器
二极管 |
19. |
diode, rectifier
整流
二极管 |
20. |
diode, parasitic
寄生
二极管 |