从原子结构–PN结原理–光伏发电

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1、原子结构


原子



原子核

和围绕原子核旋转的

电子

构成。如果将

原子

比作一

棒球场

,那么

原子核

大大小不比一个

棒球

大,但原子的所有重量都集中在原子核上,而

电子

只相当于棒球场上的

苍蝇

,所占空间相比来说也是极小的。

原子核带正电荷,电子带负电荷

。原子内正电荷和负电荷数量相等,所以

原子整体是中性

的。电子围绕原子核运动,和地球围绕太阳远行相似。在核的引力作用下,电子分成几层(又叫能带 energy band)按完全确定的轨道运行,而且各层所能容纳的电子数目也有一定规律。以硅元素为例,原子核周围的14个电子组成三层环,围绕原子核运动。从里往外数,第一层环上有其2个电子,其余依次为8、4个电子。

凡是环上的电子数为2、8、18时.这些环上的电子总是比较稳定的,这类元素一般形成绝缘体。若环上的电子数不等于以上各数时,这些环上的电子总是不太稳定。于最外层的价电子离核比较远,所受引力最小,所以最容易受外界影响而形成自由电子。导体和半导体都是靠最外层的自由电子进行导电的。

而每个原子核除了吸引自己的价电子外,还吸引相邻原子的

价电子

。因此,两个相邻原子的价电子便成对地存在。这一对电子同时受这两个原子核的吸引,为它们所“共有”。这两个相邻原子也通过这个电子对被联系在一起。这样,电子对就好像起了键(联结)的作用,我们叫它

共价键



每一个硅原子以其4个价电子与其他4个硅原子的价电子组成4个共价键而达到稳定状态

。在理想情况下,硅晶体中所有的价电子都织成了电子对,因此没有自由电子,这时硅晶体是不易导电的。纯硅晶体也不是像绝缘体一样完全不导电,所以这类固态成为

半导体

。在

外力作用下

电子会逃脱共价键,形成空穴和自由电子,均被称作

载流子

。以硅晶体结构为例:

硅晶体共价键结构



2、半导体

半导体有以下特性:1)热敏性,随着环境温度变化,它的导电能力变化很大。2)光敏性,收到光照时,有的半导体导电率迅速降低。3)掺杂特性,金属掺入少量杂质会增大电阻,而半导体掺入少量的特定杂质哪怕只有几十万分之一的特定杂质,电阻率就可能下降到原来的几百分之一。

我们知道,水流大小是由水分子的移动形成的,水是水流的

载流子

;同样,带电荷的可移动粒子是电流的

载流子



由于受到共价键的束缚,原子核(带正电荷)和电子(带负电荷)都不可移动的,所以硅的导电性能比较差。

硅晶体的共价键并不是非常坚固,由于受到温度、光、磁等能量的激发作用,极少的电子获得足够的能量,可以摆脱共价键的束缚,带负电荷的电子便可以移动了,支持了电流的形成。这个电子离开原子后,共价键就少了一个电子,留下一个空位置(我们称为

空穴

),该原子同时变成了带正电荷的离子。因为这种带正电荷的离子都有一个空穴,我们不如将空穴视为带正电荷的“粒子”(实际上空穴不是粒子,但是原子有空穴,就代表此处有正电荷)。

这种由于热激发产生了一对“自由电子”和“空穴”的过程,称为

本征激发

。自由电子带负电荷,空穴带正电荷。自由电子和空穴都是半导体的载流子。

同理,自由电子和空穴也可以复合。


杂质半导体


掺入杂质的半导体称为杂质半导体。

由于本征导电性能差,如果参入+5价或者+3价的原子,可以大大提高其导电性能。

比如,掺入+5价的磷原子后,磷的4个电子和周围4个硅原子形成共价键,还剩有1个电子,由于不受共价键束缚可以自由移动,

这种杂质半导体称为N型半导体。N代表负极性Negetive,由于引入了1个自由电子,所以称为N型半导体




同理,掺入+3价的硼原子后,硼的3个电子和周围4个硅原子形成共价键的话,会出现一个空穴,这种杂质半导体称为P型半导体。P代表正极性Positive。

3,本征半导体:

本征半导体是纯净(无杂质)的晶体结构(结构稳定)的半导体。

4,本征半导体的结构

共价键:相邻两个原子共用一对最外层电子,形成共价键。

5,本征半导体中的两种载流子

自由电子:由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子,其带负电。

空穴:自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴,其带正电。

复合:自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。

在一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定(动态平衡)。温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度增大。

外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。

空穴运动的本质:价电子依次替补空穴的位置,在表面上看是空穴运动

关于二极管的原理来自于PN结,下图为本征半导体:



6.空穴与电子

动画中空穴是红的,电子是蓝的,其实我一直对空穴这个概念很抵触,因为从这个动画上来看空穴是不动的。但讲PN结、三极管的时候都会把空穴当成运动的载流子,虽然似乎也不是很难理解。



P型半导体

空穴多,容易吸引电子但原子核电荷不够,会形成


负电荷





N型半导体

电子多,电子容易逃跑且原子核电荷太多,会形成


正电荷


7.PN结


P(Positive)型半导体



N(Negative)型半导体

构成PN结以后,会扩散出一个


内电场


,也叫


PN结





阻挡层





耗尽层





空间电荷区


电子受到电场力作用会

漂移

向N级,但N级电子太多,还是会向P级

扩散

。两种运动形成了动态平衡,当然,不一定会像下面这个动画一样形成稳定的环形电流。

3.正向偏置

电源正极接P,负极接N,电荷会重新分布

因为载流子多而且PN结窄,所以会形成比较大的电流。

4.反向偏置

电源正极接N,负极接P,电荷也会重新分布

因为载流子少而且PN结太宽,所以电流会很小。

PN结基本原理就讲到这里。



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