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存储器分为易失性存储器和非易失性存储器。其中的易失性是指存储器掉电是否能保存数据。
易失性存储器：就是我们常说的RAM，这种存储器掉电后所有数据都消失，不会被保存，重新上电之后，原来的数据都没了。
RAM：“Random Access Memory”，随机存储器。根据存储机制，可分为动态随机存储器DRAM和静态随机存储器SRAM：
SRAM：读写速度快，但是成本相对较高，常用于小容量、高速存储时使用。
DRAM：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于大容量存储时使用。DRAM又可以分为SDRAM、DDR　SDRAM、DDRII　SDRAM、DDRIII　SDRMAM。
非易失性存储器：这种存储器内部数据掉电不丢失，重新上电后，之前的数据都还在。可以分为ROM、ＦLASH、光盘、机型硬盘等。
ROM：”Read Only Memory“，译为只读存储器。后由于计数发展，出现了可以写入数据的ROM比如EEPROM，但是ROM的名字延续了下来。ROM根据特性不同，也分为以下几种。

FLASH：FLASH存储器也叫闪存，是可以重复擦写的存储器，擦除时一般以多个字节为单位擦除。FALSH可以分为NOR FLASH和NAND FLASH。

FLASH三个操作：写入、擦除、读取，写入是写0，擦除是将数据写1。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位进行擦除，以扇区为单位擦除。
读写要根据FLASH是NOR_FLASH还是NAND_FLASH有所区分，NOR _FLASH写入可以一个字节一个字节地写入，读取也可以一个一个地字节的读，NAND_FLASH要按页操作，读数据的时候把整页数据读出来；写数据的时候，要写一页；擦除时候要按块擦除，擦除一整块的数据。
STM32F407内部是NOR_FLASH，可以一个字节一个字节的操作。
对于FLASH读写操作：
每次擦除FLASH就是把FLASH全部写1，即未写入时FLASH里面的数据为全1。写入只能写0，不能写1，也就是写入只能让FLASH从1变为0，不能0变为1，如果已经写入过了，则需要先擦除把数据变为1再写入。比如0x0F（0000 1111），只能低4位写入，高4位不能写入。