一、RAM和Flash的区别

RAM有两大类，一种称为静态RAM (Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲cache。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

Flash是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。Flash闪存是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。Flash的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF。

而我们平时接触最多的就是RAM，即内存。内存与Flash的区别是易失性，即断电后RAM里面的数据就没了，而Flash里面的数据依然存在。NOR闪存更适合存储少量的代码。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR Flash里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flas