STM32 常用存储器介绍

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目录


一、RAM—易失性存储器


1-动态随机存储器 DRAM的存储单元结构【电脑】


2-静态随机存储器 SRAM的存储单元结构


二、ROM—非易失性存储器


FLASH存储器

易失性:掉电是否正常保存数据。丢失:易失性。但是,非易失性存储器读写的速度远远慢于易失性存储器。

举个例子:写好的数据没有保存,电脑就会暂时将其放在易失性存储器(电脑是DRAM,STM32mini板子里面是SRAM)里面,因为CPU是不具备存储能力的,等到下次开机打开的时候,这些数据就不会存在。而我们数据保存之后就是放在了非易失性存储器(硬盘)里面,下次开机打开的时候还是存在的。


一、RAM—


易失性存储器

根据RAM的存储机制,又分为动态随机存储器DRAM以及静态随机存储器SRAM两种。

1-动态随机存储器 DRAM的存储单元结构【电脑】

DRAM以电容的电荷(电压)来表示数据。给电容充电,电容电压达到3.3V,不充电就是0V。小于1.5V记作0,大于1.5V记作1。以此来记录数据。

由于电容充电之后会随着时间流逝而放电,假如一直放电放到1.5V以下,就会导致数据的改变,所以会一直给电容充电进行刷新,保证数据正常。

常见的DRAM都采用

同步

方式,称为SDRAM。

在上升沿或者下降沿的时候把数据写在SDRAM中。时钟频率越高,传输速度越快。



种类



特点



普通


SDRAM


在上升沿时同步数据



DDRII SDRAM


在上升沿及下降沿都同步数据,时钟极限频率


800MHz



DDRIII SDRAM


在上升沿及下降沿都同步数据,时钟极限频率


1600MHz

2-静态随机存储器 SRAM的存储单元结构


SRAM以锁存器来存储数据

常见的SRAM都采用异步方式,它们被直接称为SRAM。


二、ROM—


非易失性存储器



种类



特性



MASK ROM


出厂时固化,不可修改



OTPROM


用户可写入一次,之后不可修改



EPROM


可重复擦写,需要使用专用紫外线照射设备擦除



EEPROM


可重复擦写,电擦除,使用方便

FLASH存储器

FLASH存储器又称为闪存,它也是可重复擦写的储器,但它的容量一般比EEPROM大得多,且在擦除时,一般以多个字节为单位。(mini以4096个字节为单位擦除)

根据存储单元电路的不同,FLASH存储器又分为NOR FLASH和NAND FLASH。mini板子用NOR FLASH来存储程序。



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