一、用万用表测量 MOS 管好坏
利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。
第一步 将三个脚进行短接放电
这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电，防止有压差，使它内部产生导通，使得测量有误。
第二步 测量内部二极管
万用表打到二极管档，然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。
用万用表测量内部二极管，正向测量时应该有一个零点几伏的压降，反向应该截止，不符合的话，说明管子坏了。
对于 N 沟道场管：
对于 P 沟道场管：
一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降（取决于MOSFET类型），如果压降为零，则 MOSFET 有缺陷，当读数为“开路”或无读数时，MOSFET也有缺陷。
当反向测量场管内部二极管时，压降应为“开路”或无读数。如果压降为零，则MOSFET有缺陷。
下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降：
反向测量内部二极管开路：
下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降：
第三步 测量其他引脚
还是二极管档，场管一共三个引脚，两两测量一共有六种组合。一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降，其他任何引脚之间都不应该有压降。
二、MOS管引脚判断
MOS管有三个引脚，分别为源极(S)，栅极(G)和漏极(D)。要判断MOS管的引脚，可以采用以下方法：
1. 通过数据手册：在MOS管的数据手册中，通常会有引脚布局图和引脚功能表，可以通过这些信息来判断MOS管的引脚。
2. 使用万用表进行测试：将万用表设置为测试二极管或场效应管的模式，再将测试笔分别接触MOS管的三个引脚，然后观察万用表的读数。如果读数为低电阻，表示测试笔接触的是阳极或漏极，如果读数为高电阻，表示测试笔接触的是栅极或源极。
3. 使用数字万用表进行测试：将数字万用表设置为测试二极管或场效应管的模式，再将测试笔分别接触MOS管的三个引脚，然后观察数字万用表的读数。如果读数为正值，表示测试笔接触的是源极，如果读数为负值，表示测试笔接触的是漏极，如果读数为接近于零的值，表示测试笔接触的是栅极。
4. 使用示波器进行测试：将示波器的探头分别接触MOS管的三个引脚，然后观察示波器上的波形。如果波形为正弦波或方波，表示测试笔接触的是源极或漏极；如果波形为脉冲波，表示测试笔接触的是栅极。
需要注意的是，在测试MOS管时，应当严格遵守安全操作规程，避免对设备和人员造成危害。测试时应当断开设备电源，确保测试环境的安全。