双口RAM和多模块存储器

1. 双口RAM

双口RAM，即RAM存储器有两个可供CPU读写的端口



在这样的结构体下，CPU在读写RAM时会出现以下四种情况

1. 
   两个端口对不同地址单元进行读写操作，则二者互不影响
   
2. 
   两个端口对同一地址单元进行读操作，则二者互不影响
   
3. 
   两个端口对同一地址单元进行写操作，则会发生冲突
   
4. 
   两个端口对同一地址分别进行写操作和读操作，则会发生冲突
   

2. 多模块存储器

2.1 高位交叉编址

高位交叉编址：高位部分地址表示的是体号（第几个存储体），如下图



若连续读写存储器内的数据，即地址+1，甘特图如下：

2.1 低位交叉编址

低位交叉编址：低位部分地址表示的是体号（第几个存储体），如下图



若连续读写存储器内的数据，即地址+1，甘特图如下：

总结

在高位交叉编址的情况下，我们不难发现在整个读写时间里，大部分时间都在对【同一个存储体】进行读写，

由于每个存储体都存在恢复时间且恢复时间比较长，那么就相当于大部分时间在等待存储体的恢复时间

而在低位交叉编址的情况下，此时是跨存储体依次读写的，那么我们可以无需等待恢复时间而直接读写下一个存储体

换言之也就相当于将存储体的恢复时间利用起来了，大大优化了多存储体存储器的存取性能。