1、systemverilog 中以下语句哪一个表示等待至少一个进程完成，然后再执行后继语句？
A、fork…join…any
B、fork…join…none
C、fork…join…one
D、fork…join
知识拓展：
2、Linux常用命令中，下列哪个用于修改文件所属群组
A、chown
B、cat
C、chmod
D、chgrp
解析：
cat是concat enate的简写，cat命令用于连接文件或标准输入并打印；
chmod=change mode，改变读写模式
chown=change owner，修改文件所属用户
chgrp=change group
3、verilog HDL中信号没有定义数据类型时，缺省为什么数据类型？
A、z
B、wire
C、tri
D、reg
解析：
verilog程序模块中输入输出信号类型默认自动定义成wire型；
wire型，默认为高阻值z；
补充，systemverilog中，logic不能被多个结构驱动,多个驱动只能用wire。
4、超大规模集成电路设计中，为了高速设计，采取以下哪些措施
A、并行化设计
B、串行化设计
C、流水线设计
D、资源共享
解析：
[AC]高速设计要求并行化和流水线设计,牺牲集成电路面积，牺牲功耗。
5、在验证中下列关于代码覆盖率描述错误的是
A、代码覆盖率包括语句覆盖率
B、代码覆盖率包括条件覆盖率
C、代码要盖率包括功能覆盖率
D、代码要盖率达到100%说明所有Bug已消除
解析：
代码覆盖率包括行覆盖率(语句覆盖率)、路径覆盖率、翻转覆盖率、有限状态机FSM覆盖率。
6、数字电路的验证维度有哪些
A、完备性
B、满足性能
C、复用性
D、高效性
解析：
[ABCD]
ic验证能力的五个维度:
完备性、代码性能、复用性、高效性、高产出.
7、下列哪些方式可以减少亚稳态问题的影响
A、提升系统时种频率
B、改善时钟质量
C、用反应更快的FF
D、架构上降低data toggle rate
解析：
[BCD]
改善亚稳态的方法
1.降低系统时钟
2.用反应更快的FF
2.引入同步机制，防止亚稳态传播
3.改善时钟质量，用边沿变化快速的时钟信号
关键是器件使用比较好的工艺和时钟周期的裕量要大。
8、AMBA总线协议包含AXI。AHB______ ASB. (请全部用大写字母拼写回答)
解析：
AMBA规范主要包括以下三种：
- AHB（advanced high performance Bus即AMB高性能总线）：用于高性能、高速局吞吐率部件，如CPU、DMA、DSP之间的连接；
- ASB（Advanced System Bus 即AMBA系统总线）：用来作处理器与外设之间的互连，将被AHB取代。
- APB（Advanced Peripheral Bus，AMBA外设总线）：为系统的低速外设提供低功耗的简易互联。
9、大端模式是指数据的高字节存放在_地址，低字节存放在_地址(填写:高”或者”低)
解析：
我们常用的X86结构是小端模式，而KEIL C51则为大端模式。很多的ARM, DSP都为小端模式。有些ARM处理器还可以由硬件来选择是大端模式还是小端模式。
采用大小模式对数据进行存放的主要区别在于在存放的字节顺序，
大端方式将高位存放在低地址，小端方式将高位存放在高地址
。采用大端方式进行数据存放符合人类的正常思维，而采用小端方式进行数据存放利于计算机处理。到目前为止，采用大端或者小端进行数据存放，其孰优孰劣也没有定论。
10、在L inux系统中,根据文件名查找文件位置的命令是
find -name xxx
解析：
11、在一个CPU系统中。如果有两个模块UART和TIMER可以向CPU发送中断(电平)，由CPU进行控制中断清除，如何完备的验证中断?
1.构建验证环境env:包括channel. generater. driver. mopnitor和scoreboard .通过SV的随机配置函数产生中断信号,由driver驱动.再由channel传
入CPU中.通过monitor监测信号.再由scoreboard,
2.功能点测试功能点:①UART或者TIMER中断单-触发。CPU不清除。QUART或者TIMER同时中断触发 , CPU不清除。⑧UART或者TIMER未被触发 。
CPU进行清除中断处理。
3.搜集爱盖率:搜集功能要盖率,代码要盖率.尽量添加更多的测试用例.提升其要盖率。
12、请列出SRAM与DSRAM的不同之处?
RAM 随机存储器
：存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在
断电时将丢失其存储
内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
SRAM 表示静态态随机存取存储器
：因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM 要快，这是因为 SRAM 没有刷新周期。每个 SRAM 存储单元由 6 个晶体管组成，而DRAM 存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。成本更高
DRAM 表示动态随机存取存储器
：这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而 DRAM 器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM 器件必须有规律地进行刷新。
SDRAM 同步动态随机存储器
：意思是指理论上其速度可达到与 CPU 同步。
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)：简称 DDR
，也就是“双倍速率 SDRAM“的意思。DDR 可以说是 SDRAM 的升级版本，DDR 在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得 DDR 的数据传输速度为传统 SDRAM 的两倍。
ROM 指的是“只读存储器”
，即 Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。
==PROM 指的是“可编程只读存储器”==既 Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM 在出厂时，存储的内容全为 1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据 0(部分的 PROM 在出厂时数据全为 0，则用户可以将其中的部分单元写入，以实现对其“编程”的目的。
EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”
，即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。
EEPROM 指的是“电可擦除可编程只读存储器”
，即 Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM 不能取代 RAM 的原因是其工艺复杂，耗费的门电路过多，且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数也比较低。
Flash memory 指的是“闪存”
，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于 EEPROM 的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而 EEPROM 则可以一次只擦除一个字节(Byte)。
13、请列出一般系统中的Memory hierarchy,并解释系统中为何需要将存储器分层?
现代计算机系统的存储系统是分层的，主要有六个层次：
（1）CPU寄存器
（2）On-chip L1 Cache （一般由static RAM组成，size较小，例如16KB）
（3）Off-chip L2 Cache （一般由static RAM组成，size相对大些，例如2MB）
（4）Main memory（一般是由Dynamic RAM组成，几百MB到几个GB）
（5）本地磁盘（磁介质，几百GB到若干TB）
（6）Remote disk（网络存储、分布式文件系统）
而决定这个分层结构的因素主要是：容量（capacity），价格（cost）和访问速度（access time）。位于金字塔顶端的CPU寄存器访问速度最快（一个clock就可以完成访问）、容量最小。金字塔底部的存储介质访问速度最慢，但是容量可以非常的大。